电子科技大学电子科学与技术考研经验与复习注意事项
考研政治方面：
关于政治复习，我个人的成绩并不突出，故只能分享一些基础经验。如果你的目标是达到75分或更高，推荐你参考那些单科高手的学习心得，每年都有不少同学能取得80分乃至90分以上的优异成绩。我在政治上的投入时间有限，从9月中旬才开始，首先通读了一遍精讲精练资料，而官方的大纲解析因为内容过于繁杂，我选择了略过。接下来，我专注于刷1000题，重复刷了两次，并标记出错误题目，重复犯错的题目特别标注。这样大约到了11月，我就入手了《风中劲草》，这本书对考研知识点进行了浓缩和提炼，对后期把握关键点很有帮助。读完后再重温一次1000题，尤其关注之前做错的题目。在12月初之前，主要精力应放在选择题上，大题可暂时不必考虑。进入12月，市面上会出现各类模拟试题，其中肖秀荣的八套卷和四套卷颇具代表性。八套卷主要是用于巩固选择题，大题部分可以忽略。然而，四套卷的大题必须全文背诵，今年肖教授几乎准确预测了所有大题，因此四套卷的重要性不言而喻，可以说是考研冲刺阶段的必备资料。
考研数学方面：
每个人的数学学习体验各异，我本人对数学有着浓厚的兴趣，但偏偏我最大的问题就是粗心大意，总是犯计算错误，这在真实的考试环境中无疑是个重大短板。因此，即便我对每道题目都有一些想法，最终却因为计算失误而频繁失分。所以，在确保基础知识牢固的基础上，提升计算准确性至关重要。我购买并完成了大量数学辅导书籍，每个学习阶段都少不了购买参考资料。我个人非常支持通过海量做题来提升数学技能，当然，做完题后反思和总结同样重要。此外，数学学习需要与总结相结合，这一点仅凭独立解题往往难以领悟。总的来说，数学学习无非两个关键点，一是根基，二是实践。巩固基础知识是一个逐步深入的过程，最后会形成定时定量渴望解题的习惯；至于实践，光是理解如何解题是不够的，每一个步骤都需要亲自动手、反复操练，这样才能在考场中减少错误。
考研英语方面：
英语差的同学，不要害怕英语，考研英语没那么难。英语最重要的无疑是单词，重要性就不论述了……我用的英语单词书是绿皮乱序版（很大很厚的那本），乱序的，并且中间有例句和长难句，不至于在背单词的时候太枯燥，结合红皮小本（按照词汇频率排版的那一本，分为高频中频和低频）。我暑假之前的2个月开始背单词，每天只有一个小时左右，暑假2个月每天2个小时学习单词，我基本上是啃那一本绿皮书，每天最少2个小时，每天一到两个单元的单词，中间的长难句和例句也不要放过。背单词要经常复习，而且是背了忘，忘了背，开始算是比较痛苦的，越往后越轻松，因为单词就那么些，要坚持住。单词是每天都要背的，直到考研那天。暑假结束后，我就开始做阅读了，直到入手真题。一天1篇到2篇，不多，但是要求是精读，每个文中不会的单词，我都会查，然后记到本子上。每天还保证了半个小时的单词。这个时候做阅读，不要纠结对错，因为它们的出题思路和真题的差别很大。重点在于读文章，熟悉英文的长难句和语法，并在读文章的过程中强化单词11月初入手了真题，也可提前。英语真题是非常非常重要的，需要大量的时间研究真题，尤其是阅读，读懂它的出题思路，有很多弯弯绕绕。很多时候你读懂了文章，就是做不对题，因为你不了解研究生试题的出题思路，多做多读。英语真题至少2遍，阅读部分遍数越多越好。
考研专业课方面：
理解半导体的基本性质是学习微电子器件的第一步。你需掌握PN结的工作原理，了解载流子的产生和复合过程，以及电场对载流子运动的影响。这些基础知识会帮助你理解各种半导体器件的工作机制，如二极管、三极管等。
晶体管是微电子器件的核心，尤其是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。你需深入理解其工作模式，包括N沟道和P沟道的工作原理，以及阈值电压的概念。MOSFET的放大作用、开关特性及其在集成电路中的应用也是考试的重点。
再者，微电子器件的静态特性和动态特性是另一个重要的知识点。静态特性主要涉及偏置电路的设计，动态特性则涉及到频率响应和功率处理能力。对这些，理解并能运用相关公式进行计算是必要的。
在学习过程中，理论与实践相结合是非常关键的。尝试凭模拟软件进行器件建模和仿真，直观地理解器件的工作状态。阅读相关的科研论文，了解最新的研究成果和技术趋势，也能深化理解和提高研究能力。
复习阶段，做历年真题和模拟试题是必不可少的。这不仅能检验学习效果，也能你熟悉考试的题型和难度。整理错题，反思错误的原因，是提升解题能力的有效方式。
