中国科学院大学半导体材料与器件考研经验与备考技巧
考研政治方面：
针对顶尖大学的研究生入学考试，政治科目的复习可能占比较小的比例。我建议考生们浏览《金榜题名压轴四套卷》和《考研思想政治20天20题》这两本书。政治复习可以稍后进行，因为它特别适合短期冲刺。它主要包括主观题和客观题两部分，建议重点加强一下考前冲刺，因为政治内容与时事紧密相关。
考研数学方面：
二次复习主要围绕一次复习时的笔记和辅导书中的难题及错误进行，仔细重读笔记，熟记要点，再解决那些曾经困扰你的题目。我那时还尝试了张宇的180道封闭训练题（听说现在改为100题），难度较高，主要是为了拓宽视野。到八月底，二次复习大致告一段落。
第三次复习则以历年真题为核心，从九月初开始，我把张宇的三十年真题分为三个阶段：87-03年为第一阶段，04-14年为第二阶段，15-19年为第三阶段。对于第一阶段，每天一套题，同时做好错题笔记（非常关键），并在答案书中标记，这样当你完成所有题目时，可以看出哪些章节被大量标记，那些就是你需要强化复习的部分。第二阶段同样方法，但需按照考研实际时间来完成，每套题留出两天时间（一天做题，一天纠错），考虑到这时你也需要开始复习政治和专业课，因此数学的复习时间要适当调整。大约二十天后，你将再次发现标记明显的章节，这就是你的弱项，需要回头重点攻克。这些任务大约在十月中期完成，接着别急着进入第三阶段，先回顾之前的课堂笔记和辅导书中的知识点，尤其是错误多的章节，以及错题集里的题目，目标是在十一月初完成。随后，重温04-14年中得分较低的那一年的真题，如果可能的话，这11年的题目都应该再做一遍。这样一来，就到了十一月中旬。
如果有合工大超越的五套模拟卷，按相同的方式去做，如果没有，可以做上一年的卷子，特别关注后面的解答题和新颖的选择填空题。十二月初，花一周时间复习所有知识点和笔记内容，然后开始第三阶段的真题，三天一套，深入剖析错误并找出答题卡上常犯的问题。十二月中旬结束这个阶段后，剩余的时间自行安排，开始加强记忆，确保每天都做一些练习题，直至考试前夕。
考研英语方面：
当初很多人主张不必特意背单词，主张在阅读中学习单词，我并不认同。如今，我比较倾向于这样的观点：记忆单词的目标并非要求能听、说、写，了解其词源，而是在阅读时能识别出它的意思。我个人的提议是，重点掌握单词的基本含义，对于短语，不需要过分纠结于后面接动词ing形式还是todo（因为这主要是针对完形填空的技巧），只需关注那些极其常见的搭配，做到能识别即可。
考研专业课方面：
固体物理是理解半导体科学的基础，它涵盖了晶体结构、能带理论、电子态密度、载流子输运等重要概念。理解并掌握这些基本原理至关重要。晶体结构的学习，你需深入理解晶格振动、布拉格反射以及各种晶体缺陷，这些知识会在后续研究中频繁出现。能带理论则是半导体物理学的核心，要搞清楚禁带宽度、价带、导带的关系，理解电子和空穴的行为。
对载流子输运部分，热激发、电场驱动下的漂移和扩散，以及散射机制（如电离杂质散射、晶格振动散射）的理解，这些都是解决实际问题的关键。熟悉霍尔效应及其应用，这对理解和设计半导体器件非常重要。
再者，量子力学在固体物理中的应用也是必不可少的一部分。薛定谔方程的应用，如 Kronig-Penney 模型，帮助理解量子阱、量子线和量子点等微观结构的工作原理。
至于学习方法，我认为理论与实践相结合是最有效的。阅读教材和参考书是基础，但也要尝试做题和模拟实验来加深理解。例如，凭计算能带图，你直观地看到不同半导体的电子行为差异。参加讨论小组或者找导师指导也能帮助你解决困惑，深化理解。
我还推荐使用在线资源，如MIT开放课程、Coursera等，它们提供了丰富的视频教程和习题集，作为课本之外的补充学习资料。
