北京理工大学新一代电子信息技术考研经验与复习要点
考研政治方面：
复习建议：我的政治考的也不算高，所以只能向大家介绍一点基本的经验，想要考 75+，80+的同学可以去看看单科大牛的经验贴，每年都有 80+甚至 90+的大神。我政治花的时间不多，是从 9 月中旬开始的，先过了一遍精讲精练，我没有看教育部出的那本大纲，内容太多，就放弃了。然后开始刷 1000 题，刷了 2 遍，把错题都标注出来，连续两遍都错的画上重点标志。这时候差不多到 11月了，等到风中劲草出版就买进来开始看，风中劲草将考研政治众多知识做了精炼和提纯，对于后期抓重点有很大帮助。看完之后再可以刷一遍 1000 题，把之前的错题重点记忆。12 月份以前都是以选择题为主，大题可以不用准备。到了12 月，各种模拟题会纷纷出版，代表性的就是肖秀荣的八套卷和四套卷。八套卷也是用来复习选择题的，大题可以不用看。四套题则是需要把大题全部背下来的，今年肖大神在四套卷中基本上把所有大题都押中了，所以四套卷含金量是非常高的，几乎是考研必备。如果你这时候还有多余的时间的话，可以适当补充其他老师的押题材料。
考研数学方面：
数学是各科中拉分最大的，这个阶段大家应该真题都刷了一些了，这个状态是比较好的，一战的同学最好能够稳定在一个较好的水平，这样说明你基本复习到位了，要是还没有开始做真题的就得抓紧时间了，数学真题至少至少至少得2遍，真题做完了之后，可以总结一下，哪些是自己容易错的，哪些是不会的，然后找相关知识点的资料重新复习一下。真题过后，就是模拟卷了，可以隔几天做一套，不需要贪多，保持手感就行了，模拟卷里面合工大的偏难一点，李永乐的建议要做一下。11月初——考研到来：刷2020——2010的真题。方法和全书相同，但从这时开始必须限时做题，批改，看坐错的类型。将错的标记出来，真题我也是做到了三刷。后面有时间做合工大的预测卷，难度比起真题会大些，但我觉得题目出的都不错，自己时间没来及，也只是做了三套，然后又做了张宇的最后四套预测卷。
考研英语方面：
我想简单地分享一下我的经历。初期阶段，我专注于记忆词汇，并学习了大量的复杂句子解析方法，同时进行了大量的阅读训练。对于作文，我在11月中旬启动了准备，首先熟读并背诵了王江涛推荐的十篇高分真题作文。进入12月，我每天都坚持写一篇作文，不论什么主题，都要尝试去构思和写作。起初的两次尝试确实非常困难，修改作文时发现需要改进的地方很多。但在大约第四篇的时候，我突然领悟到了一些门道，之前背诵的文章在我脑海中融会贯通，我能自如地变换句型，考场上的我并没有依赖任何模板，却能流畅地挥洒文字。可以说，正是作文这一环节，让我的英语总成绩有所提升。总的来说，关键在于模拟真实的考试环境，不断练习写作，不断地写作文。
考研专业课方面：
电子科学与技术基础是一门涵盖广泛且深入的课程，它包括了电路理论、电磁场理论、半导体物理以及微电子技术等多个领域。在电路理论部分，理解和应用基尔霍夫定律，理解并掌握电阻、电容、电感的特性及其并联串联关系是基础。傅立叶变换在信号分析中的应用也是重要考点，需熟练掌握。
电磁场理论部分，麦克斯韦方程组的理解和应用至关重要。这不仅涉及到静态电磁场，也包括时变电磁场，尤其是电磁波的产生、传播和衰减等现象。对导体、介质和磁性材料的电磁性质要有深入理解。
再者，半导体物理是电子科学的核心，你需了解并掌握PN结的工作原理，理解载流子的扩散、漂移运动，以及能带理论。对 MOSFET 和 BJT 等基本半导体器件的工作原理和特性，也要有清晰的认识。
微电子技术的学习，主要涉及集成电路的设计和制造过程，如版图设计、CMOS工艺流程等。这部分需结合实际案例进行理解和记忆，理解VLSI设计的基本原则和方法也是必不可少的。
在学习方法上，我建议大家多做习题，凭实践来加深理解。对复杂的理论，尝试画出概念图或者思维导图，帮助记忆。定期回顾和总结是非常有效的学习方式，防止知识遗忘。参加讨论小组或者找一个学习伙伴，互相提问、解答问题，也是一种很好的学习策略。
