复旦大学微电子学与固体电子学考研经验与复习注意事项
考研政治方面:
本人高中为文科生,政治底子还算不错,结果考成这样,不好不坏吧,因为确实没花太大精力。看了一遍风中劲草只看了政治经济学部分,买来的xiaoxiurong考点预测背诵版一页也没翻过。主要精力还是花在了各大名师的押题讲义上,练习部分主要做了近五年的真题以及肖四。今年很多名师都押中了数道主观大题,而不少研友认为肖今年并没有押中多少,我觉得虽然肖四上并没有出现很多今年试题的原题,但肖四上的很多主观题答案都可以往今年的试题上套。另外,肖的最后预测讲义上出现了四道今年主观题的原题,当时并没有太在意,只是凭着自己超强的临时记忆力把答案都记下来了,第二天一看试题发现有四道原题,都有点懵了,迫不及待地将答案往试卷上写。结果主观分数太低了,真是难以理解,可能是我前面写的太多,后面写的略少了吧。
考研数学方面:
我认为数学的学习关键在于练习,尤其是实战的真题。首要任务是通览所有概念,不明白的地方多看几遍,如果实在无法理解,不妨暂时搁置,继续学习后续内容。有时候,我们的思维会有意想不到的转变,或许在学习其他知识后,原本困扰你的问题就能迎刃而解。对于数学基础部分,大致浏览一遍,而对于难以掌握的部分,则需反复研读2-3次,条件允许的话,再多复习几次。进入10月,应开始着手做真题,这是非常关键的步骤,尽量选择真题来练习。
我建议从早期年的真题做起,因为它们相对简单些。刚开始时,不必急于计时,毕竟初学者需要适应。随着熟练度提高,逐渐加入时间限制,模拟真实的考试环境,让自己完全沉浸在考试的状态中。每套真题完成后,务必深入剖析错误,辨别是运算错误还是知识点的盲区。若是知识点问题,不仅要修正此题,还需寻找同类题目练习,直到彻底掌握该知识点。若归咎于计算失误,要审视是否频繁出现此类错误,若有,可能存在计算方法的误解,同样需要通过额外的题目来纠正。
这些道理想必大家都清楚,但真正做到的人又有多少呢?
考研英语方面:
英语大家都知道,如果你阅读看不下去就没办法做题,我当时就是紧张的看不进去题。但好在语感还在,可能完型错的比较多但分值低,最后分数还算好。英语的复习,我认为就是背单词+做真题+看作文。前期要坚持背单词,我当时是在图书馆借的单词书每天背几页,同时用扇贝单词APP找空闲时间背。单词这个东西反复背多少遍都不嫌多,好习惯要一直坚持。从6月份左右就可以开始做真题了,真题要反复做,多做几遍总结问题。我用的是张剑的英语黄皮书,除了真题它的阅读理解80篇和150篇我也买了,但是最后都没有做完。总之考试之前都要保持手感。最后2个月开始看作文,把作文分成了9个小部分,按每个部分的套路补充好,最后就能成为一篇完整的文章。
考研专业课方面:
半导体器件原理是一门理论与实践相结合的课程,它涵盖了半导体物理基础、PN结、MOSFET、BJT等核心知识点。理解并掌握这些基本概念至关重要。例如,半导体的能带结构、载流子的产生和复合机制、PN结的工作原理等,这些都是后续深入学习的基础。对这些基础知识,需反复阅读教材,确保理解和记忆。
要重视电路模型和工作特性。如MOSFET的阈值电压、漏电流、栅氧化层电容等参数的理解和计算,以及BJT的放大作用和饱和区、截止区的工作状态,都需凭大量习题来巩固。做题的过程中,不仅要关注解题步骤,更要理解每个步骤背后的物理意义,这样真正将知识转化为解决问题的能力。
再者,实验也是半导体器件原理的重要组成部分。复旦大学的实验课程设计丰富,能够你亲手操作各种半导体器件,直观感受其工作过程。实验报告的撰写也是提升理解和应用能力的好机会,不要忽视。
我强烈建议大家积极参与课堂讨论和研究小组,多向老师和同学教问题。在探讨中,你会发现很多自己未曾注意到的细节,也能锻炼自有的逻辑思维和表达能力。