复旦大学微电子学与固体电子学考研经验与复习注意事项
考研政治方面：
本人高中为文科生，政治底子还算不错，结果考成这样，不好不坏吧，因为确实没花太大精力。看了一遍风中劲草只看了政治经济学部分，买来的xiaoxiurong考点预测背诵版一页也没翻过。主要精力还是花在了各大名师的押题讲义上，练习部分主要做了近五年的真题以及肖四。今年很多名师都押中了数道主观大题，而不少研友认为肖今年并没有押中多少，我觉得虽然肖四上并没有出现很多今年试题的原题，但肖四上的很多主观题答案都可以往今年的试题上套。另外，肖的最后预测讲义上出现了四道今年主观题的原题，当时并没有太在意，只是凭着自己超强的临时记忆力把答案都记下来了，第二天一看试题发现有四道原题，都有点懵了，迫不及待地将答案往试卷上写。结果主观分数太低了，真是难以理解，可能是我前面写的太多，后面写的略少了吧。
考研数学方面：
我认为数学的学习关键在于练习，尤其是实战的真题。首要任务是通览所有概念，不明白的地方多看几遍，如果实在无法理解，不妨暂时搁置，继续学习后续内容。有时候，我们的思维会有意想不到的转变，或许在学习其他知识后，原本困扰你的问题就能迎刃而解。对于数学基础部分，大致浏览一遍，而对于难以掌握的部分，则需反复研读2-3次，条件允许的话，再多复习几次。进入10月，应开始着手做真题，这是非常关键的步骤，尽量选择真题来练习。
我建议从早期年的真题做起，因为它们相对简单些。刚开始时，不必急于计时，毕竟初学者需要适应。随着熟练度提高，逐渐加入时间限制，模拟真实的考试环境，让自己完全沉浸在考试的状态中。每套真题完成后，务必深入剖析错误，辨别是运算错误还是知识点的盲区。若是知识点问题，不仅要修正此题，还需寻找同类题目练习，直到彻底掌握该知识点。若归咎于计算失误，要审视是否频繁出现此类错误，若有，可能存在计算方法的误解，同样需要通过额外的题目来纠正。
这些道理想必大家都清楚，但真正做到的人又有多少呢？
考研英语方面：
英语大家都知道，如果你阅读看不下去就没办法做题，我当时就是紧张的看不进去题。但好在语感还在，可能完型错的比较多但分值低，最后分数还算好。英语的复习，我认为就是背单词+做真题+看作文。前期要坚持背单词，我当时是在图书馆借的单词书每天背几页，同时用扇贝单词APP找空闲时间背。单词这个东西反复背多少遍都不嫌多，好习惯要一直坚持。从6月份左右就可以开始做真题了，真题要反复做，多做几遍总结问题。我用的是张剑的英语黄皮书，除了真题它的阅读理解80篇和150篇我也买了，但是最后都没有做完。总之考试之前都要保持手感。最后2个月开始看作文，把作文分成了9个小部分，按每个部分的套路补充好，最后就能成为一篇完整的文章。
考研专业课方面：
半导体器件原理是一门理论与实践相结合的课程，它涵盖了半导体物理基础、PN结、MOSFET、BJT等核心知识点。理解并掌握这些基本概念至关重要。例如，半导体的能带结构、载流子的产生和复合机制、PN结的工作原理等，这些都是后续深入学习的基础。对这些基础知识，需反复阅读教材，确保理解和记忆。
要重视电路模型和工作特性。如MOSFET的阈值电压、漏电流、栅氧化层电容等参数的理解和计算，以及BJT的放大作用和饱和区、截止区的工作状态，都需凭大量习题来巩固。做题的过程中，不仅要关注解题步骤，更要理解每个步骤背后的物理意义，这样真正将知识转化为解决问题的能力。
再者，实验也是半导体器件原理的重要组成部分。复旦大学的实验课程设计丰富，能够你亲手操作各种半导体器件，直观感受其工作过程。实验报告的撰写也是提升理解和应用能力的好机会，不要忽视。
我强烈建议大家积极参与课堂讨论和研究小组，多向老师和同学教问题。在探讨中，你会发现很多自己未曾注意到的细节，也能锻炼自有的逻辑思维和表达能力。
