浙江大学电子科学与技术考研经验与备考诀窍
考研政治方面：
我觉得复习政治全程跟随肖大爷的步伐就可以了。政治9月开始复习，最开始买了红宝书和肖秀荣老师的1000题，看一章做一章题目，每天政治的学习时间控制在2小时左右，后来等风中劲草出版，买了这本书之后主要就是看这本了（在保证红宝书已经看过一遍的情况下）然后就是配合做第二遍第三遍1000题。然后就是等肖秀荣八套卷出版，买来只做选择题部分就好，做完八套卷买肖秀荣的真题做做选择题，如果有像我一样平时不关心政治热点的，建议再买一本肖大爷的形势政策与时事热点的小册子，到12月再买了肖大爷的4套卷，啥也别想，所有的大题都背了，背到考前一天。用书：肖秀荣全书，1000题，肖时事热点，风中劲草，蒋中挺小册子；肖8肖4，蒋5等各种模拟卷。
考研数学方面：
初次翻阅整本书时，可能会感到挑战重重，遇到许多不懂的题目，这是很常见的经历，不必沮丧，保持冷静，耐心地逐步推进。等到你第二次阅读时，你会发现大多数问题都已经迎刃而解。如果可能，利用暑假期间力争完成《复习全书》的两轮阅读，即使时间紧张，至少也要确保完成高等数学部分的两次复习。从10月中旬至11月中旬，每天安排一套张宇的历年真题，02年以前的试题较为简单，你可以选择一天做两年的量；而对于02年及以后的，保持每天一套的节奏。根据自身实际情况调整。务必确保每天早上用三个小时的时间完成练习。提前网购一些空白纸张，在纸上列出解题步骤，养成整洁打草稿的习惯，这对考试现场大有裨益。同时，每天都坚持温习你的笔记。
考研英语方面：
考研英语复习进度参考：5月前背单词，之后每天反复记忆。单词不好，绝对拿不到理想分数。（对于背单词有两种方式可行:A一个月快速解决所有单词，之后每天半小时复习，参考《杨鹏17天搞定GRE单词》。B做真题时候背单词，扫下10年真题，保证每个单词都会。A方法需要超人般的意志力，30天中大概有7天每天7-8小时背单词，虽然开始比较痛苦，但解决后半年无忧。B方法需要考研前就有一定单词积累，每天随着分析真题记忆单词，舒服惬意，但如果之前单词太弱，一张真题上70%单词都不会那也会很痛苦的）5-6月每天两篇英语阅读，可用的书老多了，但参差不一，《新东方考研英语阅读理解》（上半本偏简单，下版本偏难）、《张剑黄皮书考研英语阅读理解150篇》（比较难，难在超纲单词多，但出题思路还不错），我用的这两本，其他的也没找到很满意。检验一本考研阅读理解书的好坏需要分析其考察点，这两个月也可以做份真题，体会出题思路，研究各路大牛的英语学习方法，7-8月关键时间段，开始研究考研真题，强力推荐《张剑考研英语真题黄皮书》，重点是每份真题的阅读理解。对翻译，研究翻译不到位的地方,抄录自己觉得很赞的表达句式，用在作文上。（这一套下来至少3小时，让你心力憔悴，但效果还是极好的，既练习阅读还巩固了翻译和作文，是前期打基础的关键）
考研专业课方面：
半导体物理的基础在于量子力学，需深入理解能带理论，这是理解半导体性质的关键。要掌握电子在晶格中的行为，了解导带、价带、禁带等概念，并理解它们如何影响半导体的电学特性。能级和态密度的概念也是必不可少的，它们对解释半导体的各种现象如光电效应、热释电等有重要作用。
载流子的行为是半导体物理的重点。理解自由电子和空穴的概念，熟悉它们的产生、复合过程，以及漂移、扩散等基本运动规律。载流子的寿命、迁移率等参数的计算也是考试中常见的题目类型。
再者，PN结和MOS结构的理解至关重要。理解PN结的形成原理，包括空间电荷区、内建电场、接触电势差等概念，以及PN结的电流电压特性。对MOS结构，要理解表面状态、栅极氧化层的影响，以及MOSFET的工作原理。
至于学习方法，我认为理解和应用比死记硬背更重要。多做题，尤其是实际问题的应用题，帮助更好地理解这些抽象的物理概念。利用模拟软件进行仿真也是一个很好的学习方式，它直观地展示半导体器件的工作过程。定期复习和整理知识点也十分必要，制作思维导图或者知识卡片，帮助记忆和理解。
